1 Temmuz 1987 Tarihli Commodore Gazetesi Sayfa 50
X K — — l ADRES SEÇİCİ AĞ —— D A ŞEKİL: 4 D7 Dü programlandıktan sonra geriye dönüş imkânı yoktur. Şekil 6'da görüldüğü gibi bu bel- lek tipi nicrome veya polysilicon yol- lardan oluşmuştur ve matrix düzenin- dedir. Teller titanyum-tungsten karı- şımı sigorta işlevli tellerle birbirleri- ne bağlanmıştır. Bu belleği program- lamak için özel bir PROM program- layıcı cihazına ihtiyaç vardır. PROM programlayıcı, titanyum-tungsten ka- rışımı sigortaları yakmak suretiyle is- tenilen bilgiyi kalıcı olarak PROM'a kaydeder. EPROM (Erasable Programmab- le Read ÖOnly Memory - Silinebilir programlanabilir bellek): EPROM'- lar ROM ailesi içinde en çok ilgi çe- ken ve pek çok kullanım alanı bulan bir bellek çeşididir. En önemli özel- liği, bilginin kaydedilip daha sonra bellek kızıl ötesi ışığa maruz bırakı- larak silinip tekrar programlanmaya hazır hale getirilebilmesidir. Prog- ramlamak için özel EPROM prog- ramlama cihazına ihtiyaç vardır. Sil- mek için ise EPROM'un üzerindeki guartz pencereyi 10 Watlık bir ultra- viole lamba altında az bir uzaklıktan ortalama 10-15 dakika tutmak yeter- lidir. Üretici firmaların veri raporla- rında bir EPROM'a yazıp silme işle- minin 100 defaya kadar mümkün ol- duğunu yazarlarsa da pratik uygula- malarda bu işlem ortalama 10-15 de- fayla sınırlıdır. Hali hazırda 1 Kilobayttan 64 Ki- lobayta kadar EPROM üretilmekte- dir. Fakat ne yazık ki üreticilerin ara- larında bir standart belirlememesi yü- zünden EPROM'lar arasında küçük farklılıklar olmaktadır. Bütün bun- lara rağmen EPROM'lar araştırma- geliştirme, özel projeler, program kartuşları ve daha birçok uygulama- larda yaygın olarak kullanılmakadır. İlerki sayılarda EPROM'lara daha ayrıntılı olarak değinecek ve eviniz- de uygulayabileceğiniz basit EPROM programlayıcı ve silici devreleri vere- ceğiz. EEPROM (Eleetrically Erasable PROM-Elektrikle silinebilir- programlanabilir okunabilir bellek): Fonksiyon olarak EPROM'a benze- mesine karşın elektrikle silinebilme avantajına sahiptir. Yani silmek için bir ultraviole ışık kaynağına tutma- nız gerekmez. Buna karşın üretim iş- lemleri biraz komplikedir ve pahalı bir bellek çeşididir. En büyük deza- vantajı ise bir baytlık bilgi yazmak için yaklaşık 10 milisaniyeye ihtiyaç duyulmasıdır. Bu nedenle yazma iş- lemi sıradan bir R/WM bellekten yaklaşık 50 kez daha yavaştır ve or- talama 1000 defa yazma işlemi ger- çekleştirilebilir. BELLEKLERDE YENİ KİLOMETRE TAŞLARI Yukarıda anlatılan bu kadar bellek çeşidine rağmen bilgilerin hızlı trans- feri ve her türlü şartlara karşı korun- ması ihtiyacı karşısında yarıiletken malzeme üreticilerini bu ihtiyacı kar- şılayacak yeni bellek çeşitleri geliştir- meye zorlamıştır. Yeni kuşak bellek- Commodore ler R/WM'lerle ROM'ların birleşti- rilmiş şekli görünümündedir. Bunlar- dan ikisi NOVRAM (Non-Volatile Random Access Memory — Uçucu ol- mayan rastgele erişimli bellek) ve ZE- RO POWER RAM'dir (Sıfır güç rastgele erişimli bellek). NOVRAM bir statik bellek ile bir EEPROM'dan oluşmuştur. Besleme gerilimi varken statik bellek çalışır. Besleme gerilimi kesilmesi halinde bilgilerin kaybolmasını önlemek için NOVRAM'ın özel işlevli bacaklarına verilen darbelerle statik bellekteki bil- gilerin 10-15 milisaniye içinde EEP- ROM'a kopyalanması sağlanır. Bu işlemle statik belleğin o anda içerdi- Bi bilgi saklanmış olur. besleme geri- limi tekrar uygulandığında EEP- ROM'daki bilgiler NOVRAM'ın özel işlevli bacağına uygulanan elektrik darbesiyle kısa bir süre içinde tekrar statik belleğe kopyalanır. Artık bilgi yeniden kullanıma hazır hale gelmiş- Zero Power RAM ise bir statik bel- lek ile bir pilden oluşur. Besleme ge- rilimi kesildiğinde pil devreye girerek statik belleğin çalışması için gerekli enerjiyi sağlayarak bilginin kaybol- ması önlenir.
