ellekteki bilginin yazılması ve silinmesi tamamiyle elektrik akımıyla ve çok süratli olarak gerçekleşen bir işlemdir. ler voltaj değeri olarak saklanır. Bu sayede statik bellekler besleme geri- limi kesilmediği müddetçe herhangi bir ek işleme gerek kalmadan içlerin- deki bilgileri saklarlar. Dinamik bellekler ise MOS transis- tör kapılardan oluşurlar ve kondan- satörün şarjı ilkesine göre çalışırlar. Bir R/WM belleğin daha iyi anla- şılması için şekil 1'deki 8 baytlık (8*8 bitlik ya da başka bir deyişle 64 adet bellek hücreli) teorik bir bellek diag- ramı üzerinde bilginin nasıl yazıldı- ğını ve okunduğunu açıklayalım. Te- orik belleğimiz 8*8 bit matris düze- nine sahip olduğundan tüm kayıt sı- ralarını seçmek için bize 3 adres hat- tı yeterlidir. Her hat O Volt ya da 4 5 Volt olarak maksimum 2 farklı değer alabileceğinden 3 adres hattı toplam 8 farklı değer alabilir (2'nin 3'üncü kuvveti &'e eşittir). Veri hatları ise se- çilmiş herhangi bir bellek hücresinin taşıdığı değerin, çevre birimlere ak- tarılmasını ya da çevre birimlerden gelen bilginin seçilmiş bellek hücre- sine aktarılmasını sağlar. Minimum donanımlı bir sistemde bilgi alışveri- şinin bir ahenk içinde olması için bel- leğimizde iki tane de kontrol hattımız vardır. Bunlar R/W (Read-Write - oku-yaz) ve CS (Chip Select — çip seç) sinyalleridir. R/W sinyali yüksek iken (4 5V) okuma işlemi, alçak iken (0V) yazma işlemi yapabiliriz. CS sin- yali ise alçak olmadığı müddetçe bel- lek aktif değildir. Başka bir deyişle bellekle hiçbir bilgi alışverişi yapıla- maz. Şimdi bir bilgi yazma işleminin na- sıl gerçekleştirildiğini adım adım gö- relim. Mikroişlemcimiz, Commodo- re 64'ün mikro işlemcisi olan 6510, yazacağımız bilgi de hex EA olsun. Hex EA değeri 6510'un komut küme- sinde “hiçbir işlem yapma” anlamı- na gelen “NOP”' (No Operation) ko- mutunun kodudur. Bu kodu mikro- işlemcimiz belleğimizin en son adre- sine (8. bayta) yazması için adres hat- tına ikili düzende 111 değerini yazma- sı gerekir. Böylece A0, Al ve A2 ad- res hatları 4 5 Volt değerini alır. Ar- ADRES g 1 1 1i 2 |1 g|1 g ! 111 D s ı g|| 5 |4 ğ ; A 110 ' A a —a g g | 1 6 |3 AZ ——— 5 j;f, 101 G0 2 11 g |p (i I . // '-ğ'ı Â e— & %’———— #a D dlala |F Z NFK ' dığ © NNS g|sls . g Pa < Xx C’IC AĞ ——— SA4 el &D la İ7 (4 1 1 1 1 |B ö W o60 C& n RÂR GİRİŞ — ÇıkKIŞ — KONTROL W | T D D OD L1 ŞEKİL: 1 D7 D& D5 D4 D3 D2 Dİ DO Commodore dından D7..Dü0 veri hatlarına 1110 1010 (—hex EA) değeri konur ve R/W kontrol hattı O Volta çekilerek bilginin akış yönü tespit edilir. Bu adımların sonunda NOP komutu bel- leğin en son adresine yazılmış olur. Okuma işlemi ise biraz daha basittir. Mikroişlemcimiz okumak istediği ad- resin değerini A0, Al ve A2 adresle- rine yazması ve R/W kontrol hattını *5 Volta çekmesi bilginin D7..DO veri hatlarında görünmesi için yeter- lidir. Tabii tüm bu işlemlerin müm- kün olabilmesi için belleğin aktif ko- numda yani CS sinyalinin alçak se- viyede olması gereklidir. Şema 2'ye bakarak yazma ve okuma anında ör- nek belleğimizin bacaklarındaki sin- yallerin konumlarını görebilirsiniz. -ŞiEKİL: 2 DİNAMİK VE STATİK BELLEKLERİN KARŞILAŞTIRILMASI Dinamik belleklerin, statik tiplere göre avantajı, bir bitlik bilgiyi sakla- mak için gereken elektronik eleman sayısının daha az olması ve bunun so- nucu olarak da daha küçük alana (eş- değer statik belleğe göre 1/5) daha fazla bilgi hücresi (memory cell) yer- leştirilebilmesidir. (Şekil 3'e bakarak çeşitli belleklerde kullanılan devrele- ri ve eleman sayılarını karşılaştırabi- lirsiniz.) Dinamik belleklerin dezavantajı ise, saklama kondansatöründeki yü- kün kaçak akım sebebiyle azalması ve bilginin kaybolmasıdır. Çünkü lojik bilgi, kondansatörün uçlarındaki ge- rilimin yüksek veya alçak olmasına göre tespit edilir (Şekil 3c). Bu prob- lemi gidermek için birkaç milisaniye- de bir her bilgi hücresi tek tek oku- nur ve aynı bilgi tekrar yazılır. Bu metoda tazeleme (refreshing) işlemi denir ve ek lojik kontrol devreleri ge- rektirir. 49