1 Haziran 1986 Tarihli Commodore Gazetesi Sayfa 58

rak verilmiş. Bu iki tanımdan farkedi- yoruz ki lojik 1 ve lojik O'daki akım ka- rakteristikleri belirgin bir değişiklik gös- teriyor. Bu kanımızı s.423'teki tablo da pe- kiştiriyor. AA çıkış tamponu Çıkış tamponu (sourcing current) sürdüğü noktaya akım veriyor. Çıkış lojik O yapıldığı zaman ise bağ- landığı noktadan gelen akımı batırı- yor (Sink Current). Tabloda akım karakteristikleri ise şöyle: Çıkış lojik 1 iken (VOH) 2.4V) PAO-PA7, PBO-PB7,PC,DBO-DB7 pinlerinin dışarı sağlayabileceği akım minumum 200 mikroamper, tipik olarak ise 1000 mik- roamper (1mA). Mesela PAO pinini bir NPN transistörün bazını sürmek için kul- lanırsanız, buradan tipik olarak iİmA sağlayabilirsiniz. Eğer buradan biraz daha fazla akım çekmeye kalkarsa- nız, voltaj 2.4 voltun altına düşer. © çıkış voltajı Bir NPN transistörü sürmek için port'u lojik 1'e getirmek gerekir. Eğer transis- törünüz PNP ise port'un akım batırmd (current sink) özelliğinden faydalana- bilirsiniz. Ch PAO Bu transistörü iletime geçirmek için PAO bacağını lojik Oyapmak gerekir. Burada dikkat edilecek nokta PAO ba- 58 cağının batırabileceği maksimum akım. Tipik değeri 3.2 mA olan bu akı- mı 5-6 miliampere çıkartabilirsiniz. Ama daha fazla zorlarsanız port çıkış tamponunu yakma ihtimaliniz var. Elektronikle ilgisi CMOS entegrelerin çıkışına kadar uzananlar, bu teknoloji ile üretilen ilk türnleşik devrelerin insan vücudundaki statik elekirikten bile et- kilenip yandığını hatırlarlar. Bu olayın çok basit bir nedeni var. Ve ©/C veya C- ©4 bir kapasitör- deki yük ve voltaj ilişkisini tanımlar. C-) Farad cinsinden kapasitör. ©-) Coulomb olarak kapasitördeki yük V-) Volt (kapasitörde oluşan voltaj) CMOS entegrelerin girişinde MOS- FET bir transistör var. Elektronikçilerin bildiği gibi FET tran- sistörlerin giriş empedansları çok yük- sektir (101İ? ila 1015, ohm civarı). Bu yüzden FET transistörler girişlerinden akım çekmezler, Yalnız iletime seçme- si için giriş kapasitesinin dolması ge- rekir. Bu kapasitenin değeri ise çok kü- çüktür. Bu küçük değerli kapasitöre in- san vücudundaki küçük değerli elek- trik yük aktarılınca V— ©/C bölü- münde paydanın (kapasitör değeri- nin paydan (0'dan) çok küçük olma- sı nedeniyle bölümün yani oluşan vol- tajın değeri çok büyük olmakta bu voltaj giriş kapasitesinin direktriği olan isolasyon bariyerini delmekteydi. Baş- langıçta oldukça ciddi bir sorun olan statik elektriğe duyarlılık, bugünün CMOS'larındâ o kadar da önemli bir sorun değil. İmalatçılar işin kolayını gi- rişe bir zener diyot ilave ederek bul- dular. Bu zener diyot sayesinde giriş kapasitöründe oluşan gerilim belirli bir değeri aşınca zoner diyot iletime ge- çiyor ve kapasitörü deşarj ediyor. Böy- lece giriş transistörü korumuş oluyor. Yalnız databook'ları inceleyenler he- men hemen tüm MOS tümleşik devre- lerin veri föylerinde (data sheet) şöy- le bir çekinceye (astlarlar. Tüm girişler yüksek statik deşarja karşı koruma devresi içerirler. Fakat izin verilen limitlerin dışına taşmama- ya ve bu İimitlerin içinde kalmaya azami dikkat gösterilmelidir. Bu notta altı çizilmesi gereken en - önemli ifade “İzin verilen limitler” ol- malı. Yani bu koruma limitsiz bir gü- venlik sağlamıyor. Ve bu limitler aşıl- dığı zaman devrenin tehlikeye girece- ğini belirtiyor. Yine s.422'deki COMMENT'i okursa- nız bU Uyarının şöyle devam ettiğini göreceksiniz: “Yukarıda mutlak maksimum şartlar başlığı altında belirtilen büyüklüklerin aşılması ve parçanın bu durumda or- taya çıkan gerilimli çalışma şartlarına uzun süre maruz bırakılması, kalıcı ari- zalara ve parça güvenirliliğinin orta- dan kalkmasına sebep olabilir. “Bu- gün, tüm elektronik parçaların data sheet'lerinin gedikli dipnotu haline ge- len bu satırları okuyucularımız da akıl- larından çıkarmamalıdır.C